2019年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)市場研究機構集邦咨詢（TrendForce）旗下半導體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會（MTS2020）”在深圳盛大舉行。本次峰會匯聚全球半導體及存儲產(chǎn)業(yè)鏈重量級嘉賓以及集邦咨詢內存和閃存核心分析師，與來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的數(shù)百名參會嘉賓共同探討2020年存儲市場新趨勢、新變化。
本峰會圍繞半導體及存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，詳細解讀全球半導體存儲產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細分市場以及技術演變動態(tài)，深度分析未來的驅動因素和應用商機，為產(chǎn)業(yè)及企業(yè)同步提供前瞻性、戰(zhàn)略性規(guī)劃參考，大會現(xiàn)場人氣爆滿、座無虛席。
會議伊始，集邦科技董事長劉炯朗為大會做開幕致辭，對所有參會嘉賓的蒞臨表示感謝。緊接著，集邦咨詢半導體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange與拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的半導體及存儲產(chǎn)業(yè)各細分領域分析師、行業(yè)專家等展開精彩演講，下面整理了各演講嘉賓演講的主要內容，以饗讀者：
郭祚榮：2020年全球內存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
全球內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出量明年年成長為12%，為近十年來新低的水平，原因在于各內存大廠對于資本支出保守加上工藝轉進趨緩外，內存價格亦歷經(jīng)了長達一年半的下跌，都讓內存大廠想藉由產(chǎn)出的控制，以期明年市場從現(xiàn)在的供過于求往供需平衡邁進。
從產(chǎn)能與工藝的角度來看，全球內存投片只有4%的成長，三大主要內存廠明年幾乎沒有大規(guī)模新增的產(chǎn)能，明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝，1Znm工藝呈現(xiàn)緩步成長。集邦咨詢預估，明年內存價格將有機會在上半年止跌反彈，改善目前的獲利結構。
鐘寶星：5G芯引擎為存儲提供核心動力
5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應用場景對存儲提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應的新要求。5G芯引擎的發(fā)動，從中心、云端存儲維度和邊緣、終端存儲維度都會帶來新的變革，為存儲產(chǎn)業(yè)提供核心動力。
5G時代下IOT將產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，預計2025年物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量約80ZB，相當于約5154噸1T硬盤。邊緣數(shù)據(jù)在廣度、深度、精度上的全面提升，帶來存儲、模組、傳感器全面升級；5-10倍的速率提升，主流應用內容質量提升數(shù)倍，讀寫速度需求同步增長，5G帶來大帶寬意味著更大量的信息需要被傳輸、處理和存儲，勢必帶動新的一輪硬件升級，帶來新一波智能手機換機熱潮。未來5G加AI的融合，數(shù)據(jù)除了在中心云端處理外，數(shù)據(jù)也會在邊緣端做更多的處理，邊緣AI的普及以及終端低延時應用均對存儲提出了更高、更快、更強的要求。
中國作為全球最大的智能手機市場，將成為存儲的先鋒市場。5G時代全球性的終端升級帶動存儲的高速增長，將全面開啟存儲產(chǎn)業(yè)的新黃金時代。
余大年：存儲在電子競技產(chǎn)業(yè)鏈中的應用
近年來電競產(chǎn)業(yè)在世界各地快速成長，加上現(xiàn)代電競電腦需要更強大的多任務同步處理能力及執(zhí)行高畫質游戲的性能，帶動了高速度、高容量存儲產(chǎn)品的需求。
芝奇國際為全球高端電競內存領導品牌，多年來透過獨特的極限超頻技術，將每一世代硬件效能發(fā)揮至極限，不僅提供電競玩家更高性能內存產(chǎn)品，也同時樹立下一世代高端硬件的規(guī)格標竿，成為加速人類科技進化的推手。
DDR5即將問世，內存速度及容量勢必再做提升，如何能持續(xù)開發(fā)出更高性能產(chǎn)品以滿足電競玩家需求，將會是各大存儲廠商如何于電競市場致勝的關鍵。
葉茂盛：2020年智能手機發(fā)展與存儲市場趨勢分析
智能手機市場已經(jīng)發(fā)展進入高原期，加上硬件創(chuàng)新幅度有限的因素，2020年生產(chǎn)量將大致持平，其中行動裝置存儲需求除傳統(tǒng)上消費者越換越大的預期以外，明年受到5G手機滲透率提升影響，所需傳輸速度與容量要求皆有提升，在嵌入式產(chǎn)品界面方面，eMMC 5.1已難以負荷5G時代的基本傳輸要求，加上價格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透，促使行動裝置市場閃存位元出貨成長達到32%，較2019年不到30%改善，也有助于整體閃存市場需求有較佳成長表現(xiàn)。
徐征：消費類市場內存需求分析
目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要應用于消費型電子產(chǎn)品。2019年DRAM市場供過于求，各大DRAM業(yè)者通過降價減產(chǎn)的方式降低庫存水位，同時三大DRAM業(yè)者重新調整產(chǎn)線，加速1Znm制程，帶動利基型DRAM的規(guī)格朝向DDR4邁進。
需求端，目前利基型DRAM的位需求量持續(xù)提升已是市場共識，而中國龐大市場需求是中國DRAM制造業(yè)者們的商機所在；供給端，在三大供應商加速利基型DRAM規(guī)格迭代情況下，市場上普遍認為消費型電子市場DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。
然而，大部分的消費型電子產(chǎn)品并不需要如此快速的規(guī)格轉型，加上中國已領先全球著手布建5G系統(tǒng)，更有利于殺手級應用的產(chǎn)生，在此情形之下，倘若中國DRAM業(yè)者能夠補足需求缺口，滿足當下市場的需求，勢必能減緩終端應用廠商面臨被迫轉換的壓力，這將是中國DRAM業(yè)者成長的好機會。
吳元雄：存儲技術與解決方案發(fā)展
傳統(tǒng)計算器架構中，動態(tài)隨機存取存儲器帶寬是受限的。在一些存儲器存取頻繁的應用中，處理器往往會因帶寬受限，無法獲得充分數(shù)據(jù)進行有效運算，這就是所謂“內存墻”或 “memory wall”問題。
力晶積成電子身為專業(yè)晶圓代工廠，除了邏輯晶圓代工之外，也是業(yè)界唯一專業(yè)動態(tài)隨機存取存儲器晶圓代工廠。力晶積成電子特此綜合這兩項專長，針對深度神經(jīng)網(wǎng)絡應用，開發(fā)了AIM（AI Memory）平臺，旨在解決內存墻問題。
力晶積成電子AIM平臺，乃基于力晶先進之動態(tài)隨機存取存儲器制程技術，可用于制作各式深度神經(jīng)網(wǎng)絡加速電路。由于加速電路直接植入動態(tài)隨機存取存儲器陣列旁，如此加速電路可享有超高動態(tài)隨機存取存儲器帶寬，完全解決內存墻問題。并且由于無需傳統(tǒng)外部存儲器接口，外部接口傳輸所導致之功耗及延遲也一并免除。
劉家豪：IT基礎架構轉型驅動內存市場新紀元
近年因AI技術逐漸成熟與智能終端裝置普及，多數(shù)應用服務皆藉由服務器來統(tǒng)合，尤其是需依賴龐大數(shù)據(jù)進行運算與訓練的應用服務，再加上虛擬化平臺及云儲存技術發(fā)展，服務器需求與日俱增。此外，在產(chǎn)業(yè)結構改變與服務器運算單元大幅進步之下，亦將帶動與傳統(tǒng)應用服務截然不同的服務器架構發(fā)展，進一步推升服務器的需求。
在云端架構提供服務的基礎上，終端被賦予的運算能力相對薄弱，多是藉由云端來獲取運算與存儲資源，預期5G商轉后數(shù)據(jù)中心的應用將更多元，帶動微型服務器（Micro Server Node）與邊際運算（Edge Computing）成長，并將成為2020年后的發(fā)展主軸，以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)與車聯(lián)網(wǎng)等應用場景。
受到數(shù)據(jù)中心的落實驅動，2019年服務器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成以上，預估2025年在5G相關部署驅動下，更將上升至接近四成。
梁紅偉：ABC時代存儲技術的演進與挑戰(zhàn)
伴隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息技術的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化的轉型，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，傳統(tǒng)存儲架構存在性能/容量擴展有限、數(shù)據(jù)可靠性一般等“通病”，已經(jīng)不能適用于海量數(shù)據(jù)存儲。
AI+安防是人工智能技術商業(yè)落地發(fā)展最快、市場容量最大的主賽道之一。該領域的智能方案產(chǎn)品配置繁瑣、成本高，方案復雜、組件多、開局調試工作量大，運維復雜、數(shù)據(jù)路徑長等，對存儲方案提出了新訴求。云計算方面，傳統(tǒng)存儲在設備資源統(tǒng)一管理、擴展性及節(jié)點故障保護上都存在缺陷，無法適應虛擬化數(shù)據(jù)中心彈性可擴展的未來要求。宇視超融合存儲解決方案針對傳統(tǒng)存儲方案存在的問題、痛點，給出了不一樣的解決之道。
黃士德：主控芯片創(chuàng)新技術應用發(fā)展及挑戰(zhàn)
隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新科技不斷發(fā)展演進、大數(shù)據(jù)的產(chǎn)出，促使NAND閃存技術迅速發(fā)展，3D NAND閃存的堆棧層數(shù)也已經(jīng)高達100層以上，單顆NAND閃存的容量己從32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎來價格下跌刺激高需求、低密度傳統(tǒng)硬盤更換、新的體系架構和數(shù)據(jù)結構、高帶寬數(shù)據(jù)流和5G寬帶、人工智能+存儲等帶來的市場機遇。
NAND閃存存儲應用越來越廣泛，從記憶卡到移動電話中的eMMC及被廣泛應用的固態(tài)硬盤，主控芯片扮演相當重要的關鍵角色，其促使NAND閃存在不同應用下發(fā)揮極致效能。如在自動駕駛汽車存儲領域，自動駕駛汽車需要安全可靠且響應迅速的解決方案，對存儲器的性能、數(shù)據(jù)校正、可靠性、溫度范圍等均提出了更高需求。
呂國鼎：閃存主控暨存儲產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟
長久以來，存儲產(chǎn)業(yè)一直存在一個迷思， 就是存儲產(chǎn)業(yè)市場很大，殊不知，市場很大指的是閃存芯片（NAND Flash），而非閃存主控（NAND Controller）。在主控開發(fā)成本不斷提升，而主控芯片售價卻不斷下降的狀況，閃存主控難以獲利的情況及趨勢將愈來愈嚴重。
群聯(lián)獨特的營運模式，歷經(jīng)20年的產(chǎn)業(yè)洗禮，不斷成長茁壯。 群聯(lián)也將透過最完整的閃存主控相關IP授權及ASIC設計服務，建構“閃存主控暨存儲產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟”，協(xié)助國內存儲產(chǎn)業(yè)實踐自主可控的中國芯大愿。
陳玠瑋：2020年全球閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
全球閃存產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出量明年年成長為約30%，為近幾年來相對低檔的水平，原因在于閃存大廠除中國長江存儲較積極投資外，其他競爭者對于資本支出都較以往來得保守，導致新產(chǎn)能增加有限；再加上明年又要轉換新制程到更具挑戰(zhàn)性的128L等級，良率提升速度也會比之前來得緩慢。
另一方面，因為2019年閃存市場ASP大跌40-50%，讓閃存大廠由盈轉虧，也是造成2020年擴張保守的主因之一。集邦咨詢預估，明年閃存價格在供給面成長動能受限，以及需求端有機會回歸正常表現(xiàn)下，將出現(xiàn)另一波漲勢動能。
徐韶甫：晶圓代工工藝飛躍，高端制程坐7趕5追3
2019年在總體經(jīng)濟不穩(wěn)定的影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)呈現(xiàn)衰退，晶圓代工產(chǎn)業(yè)更迎來罕見負成長。
而展望2020年，盡管市場氛圍仍有不確定性，但受惠于5G、AI、車用等新興終端應用需求的持續(xù)挹注，可望拉抬半導體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底；尤其在高端運算需求下，IC設計業(yè)者持續(xù)導入新一代硅智財，與最新制程技術結合，強化芯片效能與芯片客制化能力，提升了先進制程的采用率。
即便在2019年半導體景氣低迷的情形下，7納米節(jié)點的采用率仍獲得大幅度的提升，也更加速7納米EUV（極紫外光）與5納米的量產(chǎn)商用，并連帶推升市場對3納米節(jié)點的信心，使先進制程研發(fā)的時程圖更加明朗化，日后將持續(xù)提高先進制程在晶圓代工中的份額，并藉由先進制程工藝的躍進來扶持摩爾定律的延續(xù)。
結語：
本次峰會的議題分別從內存與閃存的市場供需態(tài)勢、技術發(fā)展方向、應用領域趨勢等方面，對半導體及存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢進行了全方位解讀與剖析，助力存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)把握商機，為行業(yè)人士獻上了一場精彩紛呈的產(chǎn)業(yè)交流盛宴。
在演講嘉賓的精彩分享及參會人士的積極支持下，本次峰會圓滿落幕！集邦咨詢未來仍將提供最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)與動態(tài)，繼續(xù)為推動存儲產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展作貢獻！
轉自TrendForce媒體中心 原文鏈接：https://press.trendforce.cn/press/20191127-3022.html